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當(dāng)前位置：首頁(yè) / 產(chǎn)品中心 / 其他專(zhuān)用儀器 / 其他 / HAD-CV300電容電壓性測(cè)試儀.
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
電容電壓性測(cè)試儀.1．HAD-CV300引言HAD-CV300型電容電壓（C-V）性測(cè)試儀是測(cè)試頻率為1MHz的數(shù)字式電容測(cè)試儀器。用于測(cè)量半導(dǎo)體器件PN結(jié)勢(shì)壘在不同偏壓下的電容量，也可測(cè)試其它電容。儀器有較的分辨率，電容量是四位讀數(shù)，可分辨到0.001pF，偏置電壓分辨率為0.01V，漏電小分辨率為0.01μA或0.1μA（可選）。該測(cè)試儀器性能穩(wěn)定
產(chǎn)品分類(lèi)
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電容電壓性測(cè)試儀. 型號(hào)：HAD-CV300
1．電容電壓性測(cè)試儀.HAD-CV300引言
HAD-CV300型電容電壓（C-V）性測(cè)試儀是測(cè)試頻率為1MHz的數(shù)字式電容測(cè)試儀器。用于測(cè)量半導(dǎo)體器件PN結(jié)勢(shì)壘在不同偏壓下的電容量，也可測(cè)試其它電容。
儀器有較的分辨率，電容量是四位讀數(shù)，可分辨到0.001pF，偏置電壓分辨率為0.01V，漏電小分辨率為0.01μA或0.1μA（可選）。
該測(cè)試儀器性能穩(wěn)定可靠，能齊，度，操作簡(jiǎn)單，適用于元件廠(chǎng)家，科研，等院校等單位。
2. 原理
CV法利用PN結(jié)或肖基勢(shì)壘在反向偏壓時(shí)的電容性，可以獲得材料中雜質(zhì)濃度及其分布的信息，這類(lèi)測(cè)量成為C-V測(cè)量。這種測(cè)量可以提供材料橫截面均勻性及縱向雜質(zhì)濃度的分布信息。
組成半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)（勢(shì)壘電容），加正向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變窄，勢(shì)壘電容變大；加反向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變寬，勢(shì)壘電容變小。
該儀器采用電電壓測(cè)量方法，它用微處理器通過(guò)8 次電壓測(cè)量來(lái)計(jì)算每次測(cè)量后要求的參數(shù)值。用個(gè)相敏檢波器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器順序快速成電壓測(cè)量。正交測(cè)量通過(guò)交換測(cè)量信號(hào)的相位來(lái)行，而不是參考相位檢測(cè)。因而不需要的模擬相位轉(zhuǎn)換成電壓矩形波電路。通過(guò)從同個(gè)頻信號(hào)源形成測(cè)試信號(hào)和參考信號(hào)，來(lái)保證正確的相位關(guān)系。由微處理器根據(jù)已知的頻率和測(cè)試信號(hào)相位，用ROM 存儲(chǔ)器內(nèi)的程序和所存儲(chǔ)的按鍵選擇來(lái)控制測(cè)量順序，以及存儲(chǔ)在RAM 中的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)來(lái)計(jì)算被測(cè)元件數(shù)值。
3. HAD-CV300參數(shù)
3.1. 測(cè)試信號(hào)頻率：1.000MHz±0.01%
3.2. 測(cè)試信號(hào)電壓：≤100mVrms
3.3. 測(cè)量速率：慢3次/秒，快5次/秒
3.4. 測(cè)量范圍：
電容C：0.001-10000 pF
漏電：0.01-19.99μA
3.5. 直偏壓：儀器自帶偏壓0.01-35V，分辨率：0.01V；（可外接偏壓源拓展，大偏壓輸入為100V）
3.6. 作誤差：±5.0%±2字
3.7. 預(yù)熱時(shí)間：30min
3.8. 供電電源：
交電壓：220V±10%，頻率：50Hz±5%，消耗率：≤40W
3.9. 作環(huán)境
溫度：0-40℃， 濕度：≤65%
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